Індекс рубрикатора НБУВ: З844.22 + З854.14-041.1

Рубрики:

Фотоелектронні помножувачі

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены конструктивные особенности распылительной системы установки магнетронного распыления и условия формирования пленок AlN и ZnO с контролируемым содержанием и строением кристаллической фазы. Показаны условия получения и эксплуатационные характеристики слоистых структур, включающих слои AlN, ZnO, алмаза и алмазоподобного углерода, при их применении в акусто- и эмиссионной электронике.

The condition of obtaining and operating performances of layers structures including AlN, ZnO, diamond and diamond-like carbon for acoustic- and emission electronics are presented.

Пленки ZnO получены методом магнетронного ВЧ-распыления. Применялось дополнительное магнитное поле, создаваемое магнитной системой, помещенной за подложкодержателем. Установлено влияние параметров процесса на строение и функциональные свойства пленок. Пленки ZnO использовались при создании фильтров на поверхностных акустических волнах и зеркал УФ-диапазона.

ZnO films were obtained by RF-magneron sputtering. The additional magnetic field being applied was generated by magnetic system placed behind the substrate holder. The influence of process parameters on structure and functional properties of films wasestablished. ZnO films were used for elaboration of filters based on surface acoustic waves and UV-range mirrors.

Ключ. слова: высокотемпературная сверхпроводимость, наноструктурированные пленки, микрополосковый резонатор
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + З843.395-06

Рубрики:

Одержання плівок

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Для формирования защитного покрытия AlN, стойкого к воздействию ударных нагрузок, пригодны методы магнетронного и диодного распыления, а также распыления ионным пучком. В зависимости от условий проведения процесса получается различное содержание рентгеноаморфной и кристаллической фаз в объеме наноструктурированных покрытий и их волокнистое строение. Многослойные защитные покрытия получали последовательным нанесением на поверхности устройств слоев аморфного и кристаллического АlN с внутренним волокнистым строением слоя.

Methods of magnetron and diode sputtering and also ion beam sputtering are used for the formation temperature strengthening coatings. Changing deposition parameters of the given methods makes it possible to receive various concentration of the crystalline and X-ray amorphous phases and filamentary construction of the coatings. The multi-layer coatings were formed on the surface of the thermostamp consisted X-ray amorphous and crystalline АlN with the filamentary construction of the layers.

Ключ. слова: наноструктурированные пленки иридия и алмаза, магнетронное распыление, СВЧ-разряд, микроэлектроника
Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-03 + В372.6

Рубрики:

Інтегральні схеми

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: опаловые матрицы, нанокомпозиты, магнитные свойства.
Індекс рубрикатора НБУВ: З85-03

Рубрики:

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.2

Рубрики:

Наноматеріали

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены условия формирования и строение пленок алмазоподобных материалов, используемых при изготовлении слоистых ненакаливаемых катодов устройств эмиссионной электроники. Изучены строение и автоэмиссионные свойства слоистых структур с поликластерными пленками алмаза и с алмазоподобными углеродными пленками (АУП), сформированными различными методами. Установлено, что лучшими эмиссионными характеристиками обладают АУП, полученные катодным распылением, эмиссия с поверхности которых происходит по границам глобул.

The paper describes formation conditions for and the structure of diamond-like materials films used in the manufacture of layered cold cathodes of emission electronics devices. The authors study the structure and field emission properties of layered structures with polycluster diamond and diamond-like carbon films (DCF) formed by various methods. It has been found that the best emission properties are characteristic of DCFs obtained by cathode sputtering. Emission from the surface of such films occurs on the boundaries of the globules.